大连理工大学材料科学与工程学院导师介绍:雷明凯

  
雷明凯
院系: 材料科学与工程学院
办公电话: 0411-84707255
电子信箱: mklei#dlut.edu.cn
更新时间: 2008-6-27
其他专业: 材料学 ★材料表面工程

个人简介
1984年7月大连工学院(现大连理工大学)金属材料专业本科毕业,后留校工作至今。在职获得工学硕士、博士学位。历任助教(1984)、讲师(1989)、副教授(1996)、教授(1998)、博士生导师(2000)。
其间,长期或短期访问工作于
苏联科学院西伯利亚分院热物理研究所,访问学者(1991-1992);
香港城市大学超金刚石和先进薄膜研究中心,高级访问学者(1999-2000);
法国Nancy表面工程国家科学中心,访问教授(2000);
日本长冈技术科学大学极限能量密度研究所,访问教授(2002,2004);
俄国Tomsk核物理研究所,访问教授(2004);
美国Colorado矿业学院先进涂层与表面工程实验室,访问教授(2008)。

研究领域(研究课题)
1. 国家杰出青年科学基金(50725519);
2. 国家自然科学基金(50575037);
3. 国家自然科学基金(50710305023);
4. 国家、省部委其它科研课题。

硕博研究方向
1. 等离子体/离子表面工程;
2. 工程表面加工与评价;
3. 光电子薄膜与器件。

出版著作和论文
[1] M.K. Lei, in Plasma Surface Engineering Research and its Practical Applications (edited by R. Wei), Chapter 11, Research Signpost, Kerala, 2008.
[2] Collected Research Papers (volume 4): Rare-earth Doped Oxides for Optoelectronics Prepared by Sol-gel Methods (2001-2007)(14 papers).
[3] Collected Research Papers (volume 3): Surface Engineering of Materials by High-Intensity Pulsed Ion Beam (1999-2005)(7 papers).
[4] Collected Research Papers (volume 2): Surface Modification of gamma-TiAl Intermetallics for Oxidation Resistance (2000-2002)(15 papers).
[5] Collected Research Papers (volume 1): Plasma-Based Low-Energy Ion Implantation for Low-Temperature Surface Engineering (1995-2000)(16 papers).

在读学生人数
博士:8人;硕士:4人。在站博士后1人。

毕业学生人数
博士:12人;硕士:18人。博士后1人。

  

研究生报考咨询1V1指导(点击咨询)

  

免责声明

  

本文章来源为院校研究生官网,如对稿件内容有疑问,请与院校招生办联系。研招网转载出于非商业性的教育和科研之目的,不代表赞同其观点或证实其内容的真实性。如转载稿涉及版权等问题,请来函136311265@qq.com联系修改或删除。

  

大连理工大学材料科学与工程学院导师介绍:董闯

  
董闯
院系: 材料科学与工程学院
办公电话: 84708389
电子信箱: dong#dlut.edu.cn
更新时间: 2005-4-11
其他专业: 材料学 等离子体物理

个人简介
1998.3-至今,三束材料改性国家重点实验室,主任
1996.1-至今,博导
1994.4-至今,大连理工大学材料工程系,教授
1993.10-1994.4,中科院北京电镜室,博士后
1992.1-93.10,法国南锡矿业学院,博士后。
1988.9-91.12,法国洛林国立理工大学(INPL)材料科学博士,导师J. M. Dubois。
1984.9-87.7,大连理工大学金属材料专业本科及硕士,导师郭可信。

短期国外工作
03.12-04.3,日本山口大学理学院,访问教授
01.11-02.5,美国Ames国家实验室、休斯顿大学超导研究中心,访问教授
98.10.18-11.17,香港城市大学物理及材料科学系,研究员
97.8.25-97.10.13,法国南锡矿冶学院材料科学与工程实验室
96.10.1-97.3.1,香港城市大学物理及材料科学系,研究员
96.3.28-4.28,美国Ames国家实验室,访问学者
95.12.10-96.3.15,印度科学学院,访问教授

社会兼职
材料研究学会、真空学会、电子显微学学会、金属学会材料科学学会理事,材料研究学会青委会常务理事,机械工程学会热处理分会理事及表面工程技术委员会委员,机械工程学会摩擦学分会摩擦学专业设计委员会委员。金属学报、大连理工大学学报编委,功能材料通讯编委。国家自然科学基金委第十届工程与材料科学部金属材料II学科评审组成员。辽宁省人民政府学位委员会第三届学科评仪组成员。中国科学院国际材料物理中心第三届学术委员会委员。山东大学材料液体结构及其遗传性教育部重点实验室学术委员会委员。
九三学社大连市副主委,大连市政协常委。

研究领域(研究课题)
载能束材料改性、准晶及非晶材料、合金相成份设计、材料微结构。
负责国家高科技计划(863)1项、国家杰出青年自然科学基金、国家教委优秀年轻教师基金以及国家自然科学基金面上项目3项,负责辽宁省和大连市基金各1项,参加1项国家自然科学基金重大项目。

硕博研究方向
准晶及非晶合金微结构及成份设计;非晶与准晶的联系;多元体系合金相成份规律探索;脉冲电子束材料改性机理及应用;激光表面热处理;等离子体辅助沉积制备DLC薄膜;脉冲电弧离子镀及纳米多层涂层。
与法国、德国、美国、印度、香港等地建立了密切合作关系,完成3项中法先进合作计划,正在执行1项科技部中印合作计划。与国外联合培养博士生4人。

出版著作和论文
著有《准晶材料》(1998,国防工业出版社),发表论文100余篇,SCI引用总次为530,单篇最高为94次。申请专利4项。建立了准晶材料研究室。6次在国际会议上做邀请报告,多次任会议组委,作为会议主席组织过3次区域性国际会议和3次全国会议。在法国、美国、德国、印度等国做过20多场学术报告,建立了广泛的国际科研合作,多次出访。

工作成果(奖励、专利等)
发现了一系列新准晶和大块非晶合金,建立了其共同的成份规律;利用离子注入合成了高质量的掺碳半导体金属硅化物薄膜;此外在脉冲电弧离子镀、脉冲电子束、激光诱发自蔓延合成非晶合金材料等方面有所贡献。
国家教委科技进步一等奖,1993
辽宁省青年科技拔尖人才,96年
国家百千万人才工程95-96年度第一、二层人选
大连市优秀专家,96年
国务院颁发的政府特殊津贴,97.10
校教学优秀奖,97年
中国青年科技奖,中宣部、中组部、中国科协,1998
辽宁省十大杰出青年,辽宁省团委,1999.5
大连市十大杰出青年,大连市团委,1999.5
九三学社辽宁省十佳杰出科技人才,辽宁省九三学社,2001.2
校学科特聘教授,2001.3
以单篇94次获得ISI1981-1998High Impact Papers中国大陆高引用SCI论文奖,2001
辽宁省青年学科带头人,2002.9
辽宁省高等学校学科拔尖人才,2003.5
教育部长江奖励计划特聘教授,2005.3

在读学生人数
硕士生在读9人,博士生在读9人。

毕业学生人数
硕士生毕业15人,博士生毕业12人。

  

研究生报考咨询1V1指导(点击咨询)

  

免责声明

  

本文章来源为院校研究生官网,如对稿件内容有疑问,请与院校招生办联系。研招网转载出于非商业性的教育和科研之目的,不代表赞同其观点或证实其内容的真实性。如转载稿涉及版权等问题,请来函136311265@qq.com联系修改或删除。

  

大连理工大学材料科学与工程学院导师介绍:陈军

  
陈军
院系: 材料科学与工程学院
办公电话: 0411-84707117
电子信箱: chenjun#dlut.edu.cn
更新时间: 2011-6-23
其他专业: 无

个人简介
1983.9-1987.7:大连理工大学材料系学习,本科
1987.9-1990.7:中国科学院金属研究所学习,硕士
1990.8至今:大连理工大学材料学院工作,副教授

社会兼职
中国机械工程学会会员;
中国机械工程学会失效分析分会专家

研究领域(研究课题)
1、材料的无损评价及失效分析
2、检测信号的分析与处理
3、生物工程材料
4、材料表面工程

硕博研究方向
1、材料的无损评价及失效分析
2、材料表面工程

出版著作和论文
[1]陈军,李喜孟,林莉. HK40炉管的蠕变损伤及检测方法. 无损探伤,1999,4:43-44
[2]陈军,李喜孟,林莉. HK40转化炉管超声检测中的影响因素. 无损探伤,2000,3:42-43
[3]陈军,林国强. Cr对TiN基硬质薄膜的合金强化效应. 中国材料研讨会,2000,北京
[4]陈军,林国强,陈静,韦江,王富岗. 电弧离子镀(Ti,Cr)N硬质薄膜的成分、结构和性能,大连理工大学学报,2002,42(5):555-559
[5]Chen Jun, Lin Guo-qiang. Wang Fu-gang. Composition Gradient Hard Coatings by Arc Ion Plating. 14th Congress of International Federation for Heat Treatment and Surface Engineering, October 26-28, 2004, Shanghai, China
[6]高玉周,陈军,林国强,严立. 电弧离子镀(Ti,Nb)N硬质薄膜的成分、结构和硬度,大连海事大学学报,2004,30(1):81-85
[7]J.Chen, G.Q.Lin, F.G.Wang. Composition gradient hard coatings by arc ion plating. Cailiao Rechuli Xuebao/Transactions of Materials and Heat Treatment, 2004,25(5):905-908
[8]L. Lin, S.M. Miao, J. Chen, X.M. Li, and M.K. Lei. Characteristic frequency band of ultrasonic power spectra relative to the properties of modified Cr2O3 coating irradiated by HIPIB ,World Conference on Ultrasonics,2005,Beijing
[9]L. Lin, J. Chen, X. M. Li, Y. W. Shi, G. P. Guo. Ultrasonic testing of the diffusion bonding of titanium alloys. The 1st International Conference on Advanced Nondestructive Evaluation, Nov. 7-9, 2005, JeJu Island, Korea
[10]陈军,高玉周,林国强,王富岗. 电弧离子镀(Ti,Nb)N硬质薄膜断裂韧性对摩擦学性能的影响,中国表面工程,2006,19(5):38-44
[11]L. LIN, Y.W. SHI, J.CHEN, X.M. LI, and G.P. GUO. Ultrasonic testing of the diffusion bonding of titanium alloys, Insight, 2006,48(7):415-415
[12]付玉,陈军. 合理选择检测参数去除产品中的危害性缺陷. 无损探伤,2007,31(2):24-27
[13]陈军,林莉,林国强,郝胜智,王富岗.强流脉冲离子束辐照对电弧离子镀TiNbN硬质薄膜摩擦磨损性能的影响. 强激光与粒子束,2008,20(6):1003-1006
[14]Lin, L, Y. Zhao, J. Chen,X. M. Li, M. K. Lei. Ultrasonic characterization of EB-PVD thermal barrier coatings irradiated by HIPIB. Key Engineering Materials, 2008, 373/374:358-362
[15]侯云霞,陈军,林莉.Lamb波在薄铝板无损评价中的模态识别与应用. 无损检测,2009,31(7):517-519
[16]蔡桂喜,段建刚,陈军,孟宪红. 管材涡流探伤最佳频率数值模拟与实验验证. 无损检测,2009,31(5):333-339
[17]张翔,陈军,林莉,李喜孟. 复合材料孔隙率形貌特征对超声波散射衰减影响的分析,中国机械工程,2010,21(14):1735-1741
[18]张翔,林 莉,陈 军,郭广平,李喜孟. 基于确定性和随机性原理的复合材料二维孔隙模型比较. 航空材料学报,2010,30(6):93-97
[19]林 莉, 张翔,陈 军,郭广平,李喜孟. 基于随机孔隙模型的复合材料二维孔隙几何仿真. 失效分析与预防,2010,5(4):204-209
[20]Li Lin, Xiang Zhang, Jun Chen, Ximeng Li Numerical investigations of ultrasonic scattering from voids in composite materials based on random void model. The International Conference on Test and Measurement (ICTM 2010), Thuket, Thailand, December 1-2, 2010
[21]Lin, L, Xiang Zhang, Jun Chen, Yunfei Mu,Ximeng Li. A novel random void model and its application in predicting void content of composites based on ultrasonic attenuation coefficient, Appl Phys A:Materials Science and Engineering, 2011,103(4):1153-1157
[22]J.CHEN, J.XING, L.LIN, S.Z.HAO, M.K.LEI. Temperature field simulation of nitride hard film irradiated by High-intensity Pulsed Ion Beam. Materials Science Forum Vols,2011,675-677:521-524
[23]Li Lin, Jun Chen, Xiang Zhang, Ximeng Li. A novel 2-D random void model and its application in ultrasonically determined void content for composite materials. NDTE International, 2011, 44:254-260
[24]陈军,李志浩,林莉,侯云霞,马清杰. 铝板中Lamb波检测的实验研究,应用声学,2011,30(2):1-7

工作成果(奖励、专利等)
HK-40炉管超声检测技术获中国高校科技进步二等奖
承担的科研项目:
1、高温炉管的超声检测
2、生物活性陶瓷复合涂层医用骨科植入物开发

在读学生人数
3

毕业学生人数
1

  

研究生报考咨询1V1指导(点击咨询)

  

免责声明

  

本文章来源为院校研究生官网,如对稿件内容有疑问,请与院校招生办联系。研招网转载出于非商业性的教育和科研之目的,不代表赞同其观点或证实其内容的真实性。如转载稿涉及版权等问题,请来函136311265@qq.com联系修改或删除。

  

大连理工大学材料科学与工程学院导师介绍:李晓娜

  
李晓娜
院系: 材料科学与工程学院
办公电话: 84708380-8302
电子信箱: lixiaona#dlut.edu.cn
更新时间: 2008-6-25
其他专业: 无

个人简介
1997,4 ~ 现在 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室 工作
1990,9 ~ 1994,7 大连理工大学 材料工程系金属材料专业 攻读学士学位
1994,9 ~ 1997,4 大连理工大学 材料工程系金属材料专业 攻读硕士学位
1998,3 ~ 2001,10 大连理工大学 材料工程系材料物理与化学专业 在职攻读博士学位
2002,11 ~2003,11 法国南锡矿业学院 LSG2M实验室 博士后

社会兼职


研究领域(研究课题)
beta-FeSi2是一种很有前途的新型半导体材料[1],具有0.85~0.89 eV的直接带隙,与硅器件工艺相匹配,这对于基于硅材料的现代微电子工业十分重要。beta-FeSi2所对应的特征波段是光纤通信中的最重要波段,有利于同新型光电器件和光纤的结合。因此beta-FeSi2在国际上一直得到广泛关注。
本人从92年开始,进行了离子注入法合成FeSi2相和[NixFe(1-x)]Si2相及电子显微结构分析工作,依托三束材料改性国家重点实验室制备样品,在中国科学院北京电子显微镜实验室进行结构分析工作,熟练掌握了各种电镜分析技术,如高分辨、能谱、会聚束衍射等,出色地完成了金属硅化物薄膜和埋层的电镜研究。
采用离子注入法合成包括Fe-Si在内的多种金属硅化物表面薄膜和埋层,96年开始将工作的重点转移到beta-FeSi2光电薄膜的研究上,99年本课题组获国家自然科学基金委的资助,研究晶界理论指导下的铁硅半导体膜的制备。基金的研究中我们首创选择C作为掺杂元素,利用离子注入技术,得到了界面平直、厚度均一的高质量b-Fe(Si,C)2硅化物多晶薄膜;光学吸收实验证实,C离子的引入对b-FeSi2层的直接带隙宽度(Egd值)没有产生本质影响。同时大量微结构分析证实,由于b-FeSi2/Si晶界取向关系复杂,膜基界面常存在多种不同取向关系。应用晶界取向理论,对b-FeSi2/Si取向关系进行了计算,得出了最佳取向在(100)b//(100)Si,[010]b//[011]Si附近,从理论上证实了膜基间要通过在取向关系附近的微量旋转来进一步平衡失配,所以界面容易形成台阶和位错。通过计算更证实了多种不同取向关系相互之间无明显的生长优势;另外,b-FeSi2具有的伪四方结构和Si具有的面心立方结构使得薄膜中常存在大量的孪晶,复杂的取向关系加孪晶使得制备b-FeSi2单晶薄膜存在本质困难。在2003年的国际材联年会,特地设立的硅化物半导体材料分会上,我们做了邀请报告,讲述了晶界理论指导下的C掺杂beta-FeSi2薄膜的研究成果。
2002年11 到2003年11月在法国南锡冶金矿业学院 LSG2M实验室做博士后研究工作,主要进行准晶腐蚀表面及Ni基超合金渗氮层的电子显微分析。对于准晶腐蚀表面我们首次尝试用截面电镜分析的方法来观察腐蚀层,效果良好,证实了10nm的均匀腐蚀表层的存在。对于Ni基超合金渗氮层的研究否定了法方研究者一贯的对于渗氮层的假设,证实了等离子辅助法制备的渗氮层存在结构梯度问题。这一年的工作使我有机会接触更多的材料用于电镜分析,对于本人电镜分析水平的提高有很大的帮助。
回国后调研发现颗粒态乃至非晶FeSi2态更有望实用化。所以最近的研究工作集中在从源头出发合成体材料FeSi2非晶(甩带)和非晶FeSi2薄膜(磁控溅射或离子束辅助沉积),对比研究非晶FeSi2薄膜中非晶相和光电性能,以此来评价非晶FeSi2薄膜的应用价值。其次,利用团簇线判据选择C、Ge等对体材料和薄膜进行合金化,研究合金化对非晶形成能力和光电性能的影响,寻找提高非晶形成能力和非晶相稳定性的有效途径,为非晶FeSi2薄膜的合成和应用打下良好基础。最后,从近程有序结构角度,对具有半导体性能的Fe-Si非晶薄膜的性能加以诠释。b-FeSi2作为一种廉价高稳定性的材料,非晶膜的制备成功将为其广泛应用于光电领域打下良好基础,对于基于Si材料的现代微电子业也是十分有价值的。
十几年关于b-FeSi2薄膜的研究,使得本人积累了大量的关于薄膜制备的经验,对于薄膜的掺杂特性和取向关系有了更深入的认识,这些都对今后工作有很大的帮助,为b-FeSi2薄膜合成工艺最终应用于生产实践制备出高质量的光电薄膜,进而合成基于b-FeSi2薄膜新型光电器件有重要意义。

硕博研究方向
金属硅化物薄膜
材料微结构分析

出版著作和论文
1, Xiaona LI, Huan HE,Shengzhi HAO, Chuang DONG,Thierry CZERWIEC and Henry MICHEL, TEM Investigation of Nitrided Inconel 690 Prepared by Low Temperature Plasma Assisted Processes, Journal of The Korean Physical Society, 2005,46,May,S75-S79, SCI,0.828
2,D. Veys, C. Rapin, X. Li, L. Aranda, V. Fournee, J. M. Dubois, Electrochemical behavior of approximant phases in the Al-(Cu)-Fe-Cr system, Journal of Non-Crystalline Solids, 2004, 347, 1-10,SCI, 1.264
3, 赵彦辉(学生),林国强,李晓娜,董闯,闻立时,脉冲偏压对电弧离子镀Ti/TiN纳米多层膜显微硬度的影响,金属学报,2005,41(10), 1106-1110, SCI,0.366
4, 李谋(学生),李晓娜,林国强,张涛,董闯,闻立时,脉冲偏压电弧离子镀Ti/TiN纳米多层薄膜的结构与硬度, 材料热处理学报, 2005,26(6)49-52,EI
5,胡冰(学生),李晓娜,王秀敏,董闯,MEVVA离子源制备Fe/Si系薄膜的颗粒污染问题,真空,2006,43(3),21-24
1. Xiaona LI, Chuang DONG, Lei XU, High-Quality Semiconductor Carbon-Doped #61538;-FeSi2 Film Synthesized by MEVVA Ion Implantation, Materials Science Forum 475-479 (2005) 3803-3806
2. Li X N,Nie D,Dong C,Xu L,Zhang Z,Structure characterization and photon absorption analysis of carbon-doped β-FeSi2 film,Journal of Vacuum Science Technology A 22(6)(2004)2473-2478
3. Li, Xiao-na, Nie, Dong, Dong, Chuang, A comparative study on microstructures of β-FeSi2 and carbon-doped β-Fe(Si,C)2 films by transmission electron microscopy,Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B 194 (2002) 47-53
4. 李晓娜,聂冬,董闯, 离子注入合成β-FeSi2薄膜的显微结构,物理学报,51(2002)115-124
5. 李晓娜, 聂冬, 董闯, 徐雷, 张泽, C掺杂对离子注入合成β-FeSi2薄膜的影响,半导体学报,22(2001)1507-1515
6. X. N. Li, D. Nie, Z. M. Liu and C.Dong, Influence of Carbon Doping over the Structure and Optical Absorption of β-FeSi2 Thin Films Synthesized by Ion Implantation, Journal of the Korean Vacuum Society S1, 9 (2000) 146
7. Xiao-Na Li, Chuang Dong and Xing Jin, Microstructure Characterization of Semiconducting b-FeSi2 Thin Films Synthesized by Ion Implantation, Journal of the Korean Vacuum Society 8 S1 (1999) July 17-36
8. X. N. LI, X. JIN, C. DONG, Z. X. GONG, Z. ZHANG, and T.C. MA, Transmission electron microscopic studies of ternary FeNi-silicide layers prepared by metal vapour vacuum arc ion implantation,Thin Solid Film 304(1997)196-200
9. X. N. Li, C. Dong, S. Jin, T. C. Ma, Q. Y. Zhang, Ion beam synthesis of Ni–Fe–Si layer by TEM,Surface and Coatings Technology 103-104 (1998) 231-234
10. 李晓娜,聂冬,董闯, β-FeSi2和β-Fe(C,Si)2薄膜的电子显微及X射线衍射的研究,真空科学与技术学报22 (2002) 349~356
11. 李晓娜,聂冬,董闯, 碳掺杂β-FeSi2薄膜的电子显微学研究,电子显微学报21 (2002) 43~51
12. X. JIN, H. BENDER, X. N. LI, Z. ZHANG, C. DONG, Z. X. GONG, and T.C. MA, Microstructural studies of Fe-silicide films produced by metal vapor vacuum arc ion implantation of Fe into Si substrates,Appl. Surf. Sci. 115(1997)116-123
13. J. XIN, X. N. LI, Z. ZHANG, C. DONG, Z. X. GONG, H. BENDER, and C. T. MA, Ion beam syntheses and microstructure studies of a new FeSi2 phase, J. Appl. Phys. 80(1996)3306

在读学生人数
硕士生3人

  

研究生报考咨询1V1指导(点击咨询)

  

免责声明

  

本文章来源为院校研究生官网,如对稿件内容有疑问,请与院校招生办联系。研招网转载出于非商业性的教育和科研之目的,不代表赞同其观点或证实其内容的真实性。如转载稿涉及版权等问题,请来函136311265@qq.com联系修改或删除。

  

返回
顶部